<center id="q444k"></center>
FDB016N04AL7參數：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：160A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.6 毫歐 @ 80A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：167nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：11600pF @ 25V功率 - 最大值：283W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝：TO-263（D²Pak）
