FDC6312P

FDC6312P
PDF資料下載

FDC6312P參數：MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：115毫歐@2.3A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：467pF@10V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝：6-SSOT