FDD306P參數(shù):MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平柵極,1.8V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss):12V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):6.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):28毫歐@6.7A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1290pF@6V功率-最大值:1.6W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3