FDD6N20TM

FDD6N20TM
PDF資料下載

FDD6N20TM參數：MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
標準包裝：2,500
系列：UniFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@2.3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.1nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：230pF@25V
功率-最大值：40W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak