FDFMR2P853

FDFM2N111
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FDFM2N111參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.8nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：273pF@10V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-MLP，Power33
供應(yīng)商器件封裝：MicroFET3x3mm