FDG312P/12

FDG312P
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FDG312P參數：MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：180毫歐@1.2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：330pF@10V
功率-最大值：480mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SC-70-6