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FDM606P參數：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 10V功率 - 最大值：1.92W安裝類型：表面貼裝封裝：8-MLP，MicroFET?供應商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
