FDMQ86530L

FDMQ86530L
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FDMQ86530L參數(shù)：MOSFET N CH 60V 8A MLP4.5X5

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：4 個(gè) N 通道（H 橋）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17.5 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2295pF @ 30V
功率 - 最大值：1.9W
安裝類型：表面貼裝
封裝：12-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：*