FDR835N

FDR8305N
PDF資料下載

FDR8305N參數：MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 10V
功率 - 最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SSOT，SuperSOT-8
供應商器件封裝：8-SSOT