FDS2P102

FDS2070N3
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FDS2070N3參數：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：150V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：78毫歐@4.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：53nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1884pF@75V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤
供應商器件封裝：8-SO