FDS559

FDS5170N7
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FDS5170N7參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12毫歐@10.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：71nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2889pF@30V
功率-最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC