FDS6612ASOP

FDS6612A
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FDS6612A參數：MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：22毫歐@8.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.6nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：560pF@15V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN