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FDS6875參數：MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2250pF@10V功率-最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SOICN
