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FDS8960C參數(shù)：MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：35V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7A，5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：24毫歐@7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7.7nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：570pF@15V功率-最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
