FDU6N50

FDU6N50TU
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FDU6N50TU參數：MOSFET N-CH 500V 6A IPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：70
系列：UniFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：500V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：900 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：940pF @ 25V
功率 - 最大值：89W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：I-Pak