FJ3P02100L參數(shù)：MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： FJ3P02100LandFK3P02110LSeriesPowerCSPMOSFET’s PowerCSPMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：7,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12.5毫歐@3.7A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.05V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@10V功率-最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，非標(biāo)準(zhǔn)型供應(yīng)商器件封裝：3-PMCP
