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FJZ594JBTF參數：IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F
類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：150µA @ 5V漏源極電壓 (Vdss)：-漏極電流 (Id) - 最大值：1mAFET 類型：N 溝道電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：20V不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：600mV @ 1µA不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3.5pF @ 5V電阻 - RDS（開）：-安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-623F供應商器件封裝：SOT-623F功率 - 最大值：100mW
