FQA19N20C參數：MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：30系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：21.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 10.9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：53nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1080pF @ 25V功率 - 最大值：180W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應商器件封裝：TO-3PN
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