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FQA65N20參數：MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：30系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：65A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：32毫歐@32.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：200nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7900pF@25V功率-最大值：310W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應商器件封裝：TO-3PN
