FQA8N60

FQA8N100C
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FQA8N100C參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.45歐姆@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：70nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3220pF@25V
功率-最大值：225W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-3PN