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FQB1P50

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相關型號： FQB1N60TM FQB19N20TM FQB19N20LTM FQB19N20CTM FQB19N10TM FQB19N10LTM

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FQB1P50TM參數：MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：800
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10.5歐姆@750mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：350pF@25V
功率-最大值：3.13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263-2

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