<strike id="4ec44"></strike>
<rt id="4ec44"></rt>
FQD10N20CTM參數：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：2,500系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：7.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：360毫歐@3.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：26nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：510pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252-3
