FQD1N80TF參數：MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,000系列：QFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：800V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：195pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：D-Pak
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