FQI32N12V2TU參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：QFET™包裝：管件FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：120V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：32A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：50 毫歐 @ 16A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：53nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1860pF @ 25V功率 - 最大值：3.75W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
