FQPF19N10L參數：MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：13.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 6.8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：870pF @ 25V功率 - 最大值：38W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3 整包供應商器件封裝：TO-220F
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