FQPF8N80C參數(shù):MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: PassivationMaterial26/June/2007標準包裝:50系列:QFET™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):800V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1.55歐姆@4A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):45nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2050pF@25V功率-最大值:59W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3整包供應商器件封裝:TO-220F