FQT4N20LTF參數(shù):MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:QFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):850mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):1.35歐姆@425mA,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):5.2nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):310pF@25V功率-最大值:2.2W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-4