GT25/MJ-4P-AD(44)

GT25Q102(Q)
PDF資料下載

GT25Q102(Q)參數(shù)：IGBT 1200V 25A TO-3P LH

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：100
系列：-
包裝：管件
IGBT 類(lèi)型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.7V @ 15V，25A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：25A
Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：-
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：300ns/680ns
Test Condition：600V, 25A, 43 歐姆
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-3PL
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（LH）