GT60N321(Q)參數(shù)：IGBT 1000V 60A TO-3P LH
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝：100系列：-包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1000V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，60A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：120A功率 - 最大值：170WSwitching Energy：-輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：330ns/700nsTest Condition：-反向恢復(fù)時間 (trr)：800ns封裝：TO-3PL安裝類型：通孔供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（LH）
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