H5N2008P

H5N2507P-E
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H5N2507P-E參數：MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：250V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：50A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：145nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5000pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：TO-3P