HAT2279HWS-E

HAT2279H-EL-E
PDF資料下載

HAT2279H-EL-E參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3520pF @ 10V
功率 - 最大值：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK