HGT1S20N36G3VL

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HGT1S20N36G3VL參數：IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：400
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：395V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：1.9V @ 5V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：37.7A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
功率 - 最大值：150W
Switching Energy：-
輸入類型：邏輯
Gate Charge：28.7nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復時間 (trr)：-
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-262AA