IKB30N65EH5ATMA1

IKB03N120H2
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IKB03N120H2參數(shù)：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.8V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：9.6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：9.9A
功率 - 最大值：62.5W
Switching Energy：290µJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：22nC
Td (on/off) A 25°C：9.2ns/281ns
Test Condition：800V, 3A, 82 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：42ns
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3-2