IRLR8503TR(30V.34A)

IRLR8503TR
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IRLR8503TR參數：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
設計資源： IRLR8503SaberModel IRLR8503SpiceModel
標準包裝：2,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：44A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1650pF@25V
功率-最大值：62W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak