IXSQ20N60B2D1

IXSQ20N60B2D1
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IXSQ20N60B2D1參數(shù)：IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO-3P

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：-
包裝：散裝
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.5V @ 15V，16A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
功率 - 最大值：190W
Switching Energy：380µJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：33nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/116ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：30ns
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P