IXYB82N120C3H1參數：IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：25系列：XPT™, GenX3™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：160ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：320A功率 - 最大值：1040WSwitching Energy：4.95mJ（開），2.78mJ（關）輸入類型：標準Gate Charge：215nCTd (on/off) A 25°C：29ns/192nsTest Condition：-反向恢復時間 (trr)：420ns封裝：TO-264-3，TO-264AA安裝類型：通孔供應商器件封裝：*
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