J112G

J112G
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J112G參數：TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92

類別：分立半導體產品-JFET（結點場效應
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：散裝
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1V @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
電阻 - RDS（開）：50 歐姆
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商器件封裝：TO-92-3
功率 - 最大值：350mW