MKI100-12E8參數：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：5系列：-IGBT 類型：NPT配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，100A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165A電流 - 集電極截止（最大值）：1.4mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：7.4nF @ 25V功率 - 最大值：640W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：E3供應商器件封裝：E3
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