MTD6P10ET4

MTD6P10E
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MTD6P10E參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence30/Dec/2003
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：660毫歐@3A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：840pF@25V
功率-最大值：1.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK-3