NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5844NLT1G
PDF資料下載

NVMFS5844NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：650
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1460pF @ 25V
功率 - 最大值：3.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN 裸焊盤（5 根引線）
供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）