PEMB9,115

PEMB9,115
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PEMB9,115參數(shù)：TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
特色產(chǎn)品： NXP-I2CInterface
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類(lèi)型：2個(gè)PNP預(yù)偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：10k
電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?時(shí)的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@5mA，5V
不同?Ib、Ic時(shí)的?Vce飽和值（最大值）：100mV@250µA，5mA
電流-集電極截止（最大值）：1µA
頻率-躍遷：-
功率-最大值：300mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：SOT-666