PHB33NQ20T,118參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：77 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：32.2nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1870pF @ 25V功率 - 最大值：230W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
