PHD16N03LT,118參數：MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：16A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 16A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：210pF @ 30V功率 - 最大值：32.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應商器件封裝：DPAK
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