PHD9NQ20TL

PHD9NQ20T,118
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PHD9NQ20T,118參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：959pF @ 25V
功率 - 最大值：88W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK