PHM30NQ10T,518

PHM30NQ10T,518
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PHM30NQ10T,518參數：MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：37.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：53.7nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3600pF @ 25V
功率 - 最大值：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-HVSON（6x5）