PHN210,118參數(shù)：MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：TrenchMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.4A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 2.2A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：250pF @ 20V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
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