PSMN1R3-30YL,115

PSMN1R3-30YL,115
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PSMN1R3-30YL,115參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： LFPAKTrench6MOSFETs
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.3毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6227pF@12V
功率-最大值：121W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商器件封裝：LFPAK，Power-SO8