PSMN1R6-40YLC:115

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PSMN1R6-40YLC:115參數：MOSFET N-CH 40V POWERSO8-4

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.55 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：126nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7790pF @ 20V
功率 - 最大值：288W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT1023，4-LFPAK
供應商器件封裝：LFPAK，Power-SO8