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PSMN3R8-30LL,115參數：MOSFET N-CH 30V QFN3333
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,400系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：40A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2085pF @ 15V功率 - 最大值：69W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）
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