QS8J2TR

QS8J1TR
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QS8J1TR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETTSMT-8
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：29毫歐@4.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：31nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2450pF@6V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TSMT8
供應(yīng)商器件封裝：TSMT8